Comparação RAM G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Pontuação geral

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

21 27

Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

17.4 15.3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.2 11.2

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Maior largura de banda de memória, mbps

21300 10600

Por volta de 2.01 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3130 2545

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns