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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Comparar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
51
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
24
9.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
51
Velocidade de leitura, GB/s
24.0
9.9
Velocidade de escrita, GB/s
20.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
4156
2314
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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