RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link