RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link