RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
65
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
65
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
1921
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMX16GX3M2A1600C11 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link