RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
3.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2288
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link