RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
22.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
68
Около -325% меньшая задержка
Выше скорость записи
21.2
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
16
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
22.3
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
21.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
3952
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link