RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparar
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
44
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
44
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
13.5
5.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3679
1660
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link