RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
44
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
44
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
8.5
Скорость записи, Гб/сек
13.5
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3679
1660
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link