RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2865
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSL 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link