RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2865
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link