RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2865
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link