RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
12.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3110
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link