RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2641
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link