RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2641
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link