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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2641
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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