Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 28

Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

18.2 12.4

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

17.3 9.6

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 12800

Por volta de 1.66 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2329 3938

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns