RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link