Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Pontuação geral
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Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 28
    Por volta de -12% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.4 left arrow 12.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    16.6 left arrow 9.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 12800
    Por volta de 2 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.4 left arrow 17.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 16.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2329 left arrow 3908
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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