RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
66
Por volta de 58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.4
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
66
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
1909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link