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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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