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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905678-012.A00G 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
总分
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.4
14.2
写入速度,GB/s
9.6
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2329
2457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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