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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
3,405.2
14.2
写入速度,GB/s
2,622.0
9.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2402
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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