RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.4
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
52
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2306
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link