RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2852
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 994052 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link