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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
3377
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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