Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 86

Por volta de 66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.8 5.7

Valor médio nos testes

Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2177 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns