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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
12.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
2103
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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