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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
2230
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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