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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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