RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3004
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link