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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB 考慮すべき理由
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 29
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 3004

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Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
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