RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3004
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link