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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
139
Por volta de 55% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
139
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
1152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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