RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
139
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
139
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link