RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
62
Por volta de -170% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
23
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3125
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link