RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3125
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link