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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
62
Por volta de -170% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
23
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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