RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
62
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
25
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
18.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link