RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
62
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
30
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link