RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
62
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.7
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
58
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
7.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2172
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link