RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
62
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
58
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
9.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2172
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link