RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
62
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
27
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link