Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 28

Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

19.1 10.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.9 7.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 8500

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1668 3876

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns