RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 28

Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

19.1 10.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.9 7.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 8500

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1668 3876

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns