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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
42
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
33
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2231
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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