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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
42
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR3
Latência em PassMark, ns
33
42
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2231
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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