Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Unterschiede

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 7.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
    Rund um 1.11% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 36
    Rund um -44% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    36 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 7.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2497 left arrow 2104
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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