Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.8 left arrow 7.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 19200
    Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 36
    Intorno -44% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    36 left arrow 25
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.8 left arrow 14.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.8 left arrow 7.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2497 left arrow 2104
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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