Comparação RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Pontuação geral

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.8 14.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.8 7.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 19200

Por volta de 1.11% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 36

Por volta de -44% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2497 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns